特許
J-GLOBAL ID：200903043442574428
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-101596
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299620
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 SiCパワーMOSFETにおける自己整合技術を得ることで、SiC半導体装置の小型化と構造寸法の高精度化を図る。【解決手段】 p型ベース領域3の形成用マスクとなるシリコン酸化膜21の上にシリコン酸化膜24を成膜したのちエッチバックすると、シリコン酸化膜21の両側面に同等の幅でシリコン酸化膜24が残る。次に、シリコン酸化膜21、24をマスクとしたイオン注入を行ってn+型ソース領域4を形成する。さらに、表面チャネル層5、ゲート酸化膜6、ゲート電極7等を順に形成したのち、これらをドライエッチングによってパターニングし、ゲート電極7のパターニングと同時にn+型ソース領域4とソース電極との接続を行うためのコンタクトホールを形成する。これにより、p型ベース領域3の端部とn+型ソース領域4の端部、ゲート電極7の端部とコンタクトホールの端部とが自己整合的に形成される。
請求項（抜粋）：
主表面及び主表面と反対面である裏面を有し、炭化珪素よりなる半導体基板(1)と、前記半導体基板の主表面上に形成された炭化珪素よりなる第1導電型の半導体層(2)と、前記半導体層の表層部の所定領域に形成され、所定深さを有する第2導電型のベース領域(3)と、前記ベース領域の表層部の所定領域に形成され、該ベース領域の深さよりも浅い第1導電型のソース領域(4)と、前記ベース領域の表面部及び前記半導体層の表面部において、前記ソース領域と前記半導体層とを繋ぐように形成された、炭化珪素よりなる第1導電型の表面チャネル層(5)と、前記表面チャネル層の表面に形成されたゲート絶縁膜(6)と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極(7)と、前記ベース領域及び前記ソース領域に接触するように形成されたソース電極(9)と、前記半導体基板の裏面に形成されたドレイン電極とを備える炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記ベース領域形成用のイオン注入マスク材(21、30)の幅を均等に拡大し、前記ソース領域形成用のイオン注入マスク材(21、24、31)の一部として利用することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/78 652
, H01L 21/336
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 658 B
