特許
J-GLOBAL ID：200903043533767342

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

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大澤 洋一

大澤 洋一 について

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西 恒寛

西 恒寛 について

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渡辺 淳

渡辺 淳 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-075466
公開番号（公開出願番号）：特開2001-337448
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：
【要約】【解決手段】 ベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するレジスト材料において、酸発生剤が下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩であることを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1は炭素数3〜20の1価の環状炭化水素基であり、有橋環式の炭化水素基であってもよい。R2は水酸基、ニトロ基、ハロゲン原子、又はO、N、Sもしくはハロゲン原子を含んでもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。K-は非求核性対向イオンを示す。xは1又は2、yは0〜3の整数を示す。)【効果】 本発明のレジスト材料は、ArFエキシマレーザー光に感応し、感度、解像性に優れ、また厚膜化が可能なためエッチングにも有利であるために、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。
請求項（抜粋）：
ベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するレジスト材料において、酸発生剤が下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩であることを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1は炭素数3〜20の1価の環状炭化水素基であり、有橋環式の炭化水素基であってもよい。R2は水酸基、ニトロ基、ハロゲン原子、又はO、N、Sもしくはハロゲン原子を含んでもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。K-は非求核性対向イオンを示す。xは1又は2、yは0〜3の整数を示す。)
IPC (9件)：
G03F 7/004 503 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/36 ,  C08L 33/00 ,  C08L 35/00 ,  C08L 65/00 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (9件)：
G03F 7/004 503 A ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/36 ,  C08L 33/00 ,  C08L 35/00 ,  C08L 65/00 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許：
審査官引用 (4件)
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