特許
J-GLOBAL ID：200903043574445139
窒化物単結晶の製造方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-249645
公開番号（公開出願番号）：特開2008-069042
出願日： 2006年09月14日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：
【課題】LPE法により高品質かつ大型の窒化物(例、窒化アルミニウム)単結晶を安価な装置を用いて効率的に成長させる方法を提供する。【解決手段】坩堝に収容された、雰囲気ガスから溶解させた窒素を含有する単結晶原料の融液2をローレンツ力により隆起させ、隆起した融液2の頂点付近に種結晶基板3を接触させ、融液2から種結晶基板3を引き上げることにより種結晶基板3上に窒化物単結晶を成長させる方法において、融液2表層に形成される窒化物被膜10を一部破損させて、少なくとも融液2頂点付近から被膜10を除去するための引き金工程を有し、被膜10除去のための引き金工程の後、融液2の撹拌により被膜10の除去を進める。引き金工程は、雰囲気ガスの窒素分圧の操作、融液2温度の操作、ならびに物理的な接触、から選ばれた1または2以上の方法により、種結晶基板3上に単結晶を成長させる工程より前あるいは単結晶成長の初期に行う。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
坩堝に収容された単結晶原料の融液に、窒素を雰囲気ガスから供給し溶解させ、その融液をローレンツ力により隆起させ、隆起した融液の頂点付近に種結晶基板を接触させるとともに、少なくとも前記種結晶基板周辺において前記融液を単結晶原料及び窒素の過飽和状態として、融液から種結晶基板を引き上げることにより種結晶基板上に単結晶を成長させる、窒化物単結晶の製造方法であって、融液表層に形成される窒化物被膜を少なくとも融液頂点付近から一部除去するための引き金工程を有し、前記被膜除去のための引き金工程後、被膜が一部除去された状態を維持しながら、融液の撹拌により被膜の除去を進めることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/38 C
, C30B19/00 Z
4G077AA02
, 4G077BE11
, 4G077BE13
, 4G077CG02
, 4G077EA06
, 4G077EJ02
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077QA04
, 4G077QA34
, 4G077QA64
, 4G077RA03
