特許
J-GLOBAL ID：200903043606916309

表示装置の作製方法、液晶テレビジョン、及びELテレビジョン

発明者：
福地 邦彦

福地 邦彦 について

, 
伊佐 敏行

伊佐 敏行 について

, 
藤井 厳

藤井 厳 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-130607
公開番号（公開出願番号）：特開2005-346043
出願日： 2005年04月27日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】本発明は、少ない工程数で、且つ歩留まり高く表示装置を作製する方法を提供する。【解決手段】本発明は、導電層上に塗れ性の低い第1のマスクパターンを形成し、該第1のマスクパターンをマスクとして導電層上に塗れ性の高い第2のマスクパターンを形成した後、第1のマスクパターンを除去して、導電層をエッチングするためのマスクパターンを形成することを特徴とする。また、導電層をエッチングして画素電極を形成することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に導電膜を成膜し、前記導電膜上に第1の膜パターンを形成し、前記導電膜表面上であって、且つ前記第1の膜パターンの外縁に第2の膜パターンを形成し、前記第1の膜パターンを除去して前記導電膜の一部を露出した後、前記露出部を除去して、画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
IPC (12件)：
G09F9/00 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/786 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/28
FI (12件)：
G09F9/00 342Z ,  G02F1/13 101 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/288 Z ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28 ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 612C ,  H01L21/88 B ,  H01L21/90 Q
Fターム (191件)：
2H088FA19 ,  2H088FA23 ,  2H088FA30 ,  2H088HA02 ,  2H088HA08 ,  2H088MA16 ,  2H088MA20 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092MA12 ,  2H092MA18 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104GG09 ,  4M104GG20 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH16 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ03 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ16 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK04 ,  5F033KK05 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033QQ85 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033SS08 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK35 ,  5F110HK39 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 成膜装置及び成膜方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-364943   出願人：東京エレクトロン株式会社
審査官引用 (5件)
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