特許
J-GLOBAL ID：200903043610195810
CMOSイメージセンサー及びその製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小野 由己男
, 稲積 朋子
, 堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-142256
公開番号（公開出願番号）：特開2005-333131
出願日： 2005年05月16日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：
【課題】光感度及び周辺光量比改善のためのCMOSイメージセンサー及びその製造方法を提供する。【解決手段】CMOSイメージセンサー100は光感知素子及び素子分離絶縁膜20a,20bが形成された基板;前記基板に形成された複数の金属層と酸化物薄膜層を含むイメージセンサーにおいて、金属層内側に離隔して形成された複数の反射層40a,40b;複数の反射層内側に酸化物薄膜層を所定の厚さでエッチングして製造した溝に形成されたカラーフィルター50;カラーフィルター上部の両側に所定の距離だけ離隔して形成された複数の突出部60a,60b;突出部及び酸化物薄膜層の最上部に形成された平坦層70;及び平坦層上に形成されたマイクロレンズ80;を含むことを特徴とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
光感知素子及び素子分離絶縁膜が形成された基板、前記基板に形成された複数の金属層と酸化物薄膜層とを含むイメージセンサーであって、
前記金属層内側に、離隔して形成された複数の反射層;
前記複数の反射層内側に前記酸化物薄膜層を所定の厚さでエッチングして製造した溝に形成されたカラーフィルター;
前記カラーフィルター上部の両側に所定の距離だけ離隔して形成された複数の突出部;
前記突出部及び前記酸化物薄膜層の表面上に形成された平坦層;及び
前記平坦層上に形成されたマイクロレンズ;を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサー。
IPC (3件)：
H01L27/14
, H01L27/146
, H04N5/335
H01L27/14 D
, H04N5/335 U
, H01L27/14 A
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118FA06
, 4M118GB03
, 4M118GB07
, 4M118GB11
, 4M118GB12
, 4M118GC08
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 5C024AX01
, 5C024BX01
, 5C024CX11
, 5C024CX41
, 5C024CY47
, 5C024DX01
, 5C024EX43
, 5C024EX52
, 5C024GX07
, 5C024GY31
出願人引用 (2件)
-
米国特許公報第4,667,092号
-
米国特許公報第5,601,390号
審査官引用 (5件)
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