特許
J-GLOBAL ID：200903042670764869

半導体ウェハの製法

発明者：
一 啓文

一 啓文 について

, 
指谷 利治

指谷 利治 について


出願人/特許権者：
コマツ電子金属株式会社

コマツ電子金属株式会社 について


代理人 (1件)： 衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-112914
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270396
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：
【要約】【目的】 平面研削されたウェハと研磨クロスとの摩擦抵抗を少なくし、テンプレート及び研磨クロスの寿命を延ばすことができる半導体ウェハの製法を提供する。【解決手段】 スライスされたウェハ1の表面1a、1bを平面研削する。平面研削されたウェハ1をアルカリ洗浄液により洗浄する。アルカリ洗浄により尖った突起部分2aが除去される。
請求項（抜粋）：
次の工程からなることを特徴とする半導体ウェハの製法。(1)インゴットをスライスしてウェハを得るインゴット切断工程。(2)スライスされたウェハの周縁部を面取りする面取り工程。(2)面取りされたウェハの表裏両面を平面研削する平面研削工程。(3)平面研削されたウェハを薬液により洗浄する薬液洗浄工程。(4)薬液洗浄されたウェハの表裏両面を同時に研磨する両面研磨工程。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L 21/304 321 B ,  H01L 21/306 M
引用特許：
審査官引用 (12件)
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