特許
J-GLOBAL ID：200903052574664409
半導体チップ製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-283139
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110755
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】チッピングを発生させることなく極薄状の半導体チップを製造することができる半導体チップ製造方法を提供する。【解決手段】まず、表面に多数のチップが形成されたウェーハの裏面を研削して、そのウェーハの厚さを所定の厚さに形成する。次に、ウェーハの裏面を研磨又はエッチングして裏面研削時に形成された破砕層を除去する。次に、各チップ間に形成されたストリートに沿ってウェーハの表面に所定深さの溝を形成する。そして、その溝に沿ってウェーハに割れ目を入れ、個々のチップに分割する。このように、裏面研削後に、ウェーハの裏面に形成されている破砕層を除去し、碧開を利用してウェーハを個々のチップに分割することによりチッピングの発生を効果的に抑制することができる。
請求項（抜粋）：
表面に多数のチップが形成されたウェーハの裏面を研削してウェーハの厚さを所定の厚さに形成し、前記ウェーハの裏面を研磨又はエッチングして前記研削時に形成された破砕層を除去し、各チップ間に形成されたストリートに沿って前記ウェーハの表面に所定深さの溝を形成し、前記溝に沿って前記ウェーハに割れ目を入れて個々のチップに分割し、半導体チップを製造することを特徴とする半導体チップ製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301
, H01L 21/304 631
H01L 21/304 631
, H01L 21/78 Q
