半導体チップパッケ-ジ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：笹島富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-164047
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058713
出願日： 1999年06月10日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】ウェーハ段階から半導体チップ及び半導体パッケージ形成段階までを一連の工程に処理して半導体パッケージの製造時間を短縮させ、原価を節減し得る半導体チップパッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】上面に複数のパッド21を有する半導体チップ20を半導体ウェーハ上に形成し、パッド21を除いた半導体ウェーハの上面にシリコンのような低弾性係数材料層22をスピンコーティング法又はスパッタリング法を施して形成し、パッド21及び前記低弾性係数材料層22の上面に金属薄膜蒸着及びフォトリソグラフィ工程を施して金属パターン23を形成し、金属パターン23及び低弾性係数材料層22の上面に高弾性係数材料層24を形成し、金属パターン23の上面の一部を露出させ、露出された金属パターンの上面に導電性ボール27を接着して半導体チップパッケージを製造する。

請求項（抜粋）：

上面の所定部位に複数のパッドを有して形成された半導体チップと、前記パッドを除いた前記半導体チップ上に形成された、小さい弾性係数を有する低弾性係数材料層と、少なくとも1つの前記パッドと連結され、前記低弾性係数材料層上に形成された複数の金属パターンと、前記露出された金属パターンの上面に接着された電気的媒介体と、を備えて構成されたことを特徴とする半導体チップパッケージ。

IPC (5件)：

H01L 23/12 , H01L 21/60 311 , H01L 21/60 , H01L 23/14 , C08L 79/08

FI (5件)：

H01L 23/12 L , H01L 21/60 311 S , C08L 79/08 Z , H01L 21/92 602 L , H01L 23/14 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-209746
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-259861 出願人：新光電気工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-082347 出願人：株式会社日立製作所

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