プラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及び目的物

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：三木久巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-234933
公開番号（公開出願番号）：特開2007-046144
出願日： 2005年08月12日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【目的】一部に真空アークプラズマを用いて、ドロップレットの影響を受けることなく高純度に、かつ円滑に単一膜、混合膜及び積層膜を成膜するプラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及びこれらを用いて処理された目的物を提供する。【構成】2種類の第1プラズマ16及び第2プラズマ17を使用する。各プラズマは、第1プラズマ発生部2、第2プラズマ発生部3において真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行って発生させる真空アークプラズマであり、第1と第2プラズマ導入路22、23を介して共通輸送ダクト10に導入される。このとき、第1及び第2プラズマ16、17を共通輸送ダクト10に導入するタイミングを制御して、プラズマ処理部1内のワークW表面に対して積層膜形成等の表面処理加工が行われる。各プラズマ導入路のプラズマ導入角度は共通輸送ダクト10の輸送方向に対して鋭角に設定されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行って第1プラズマを発生させ、固体・液体をプラズマ源として又は気体をプラズマ作動ガスとして第2プラズマを発生させ、前記第1プラズマ及び前記第2プラズマを共通輸送ダクトの輸送方向に対して鋭角に合流するように電磁気的に導入した後、前記第1プラズマ及び前記第2プラズマを前記共通輸送ダクトを経由してプラズマ処理部に電磁気的に誘導し、前記第1プラズマ及び前記第2プラズマを前記共通輸送ダクトに導入するタイミングを制御して、前記第1プラズマ及び前記第2プラズマにより前記プラズマ処理部内の被処理物を表面処理加工することを特徴とするプラズマ表面処理方法。

IPC (3件)：

C23C 14/24 , C23C 14/22 , H05H 1/50

FI (3件)：

C23C14/24 F , C23C14/22 C , H05H1/50

Fターム (31件)：

4K029BA34 , 4K029BA41 , 4K029BA43 , 4K029BA44 , 4K029BA45 , 4K029BA48 , 4K029BA49 , 4K029BA50 , 4K029BA51 , 4K029BA52 , 4K029BA53 , 4K029BA54 , 4K029BA55 , 4K029BA58 , 4K029BA60 , 4K029BB02 , 4K029BC09 , 4K029BD04 , 4K029BD09 , 4K029BD11 , 4K029BD12 , 4K029CA03 , 4K029CA04 , 4K029DA10 , 4K029DC39 , 4K029DD01 , 4K029DD02 , 4K029DD05 , 4K029DD06 , 4K029DE03 , 4K029JA02

引用特許：

審査官引用 (3件)

強化されたマクロ粒子フィルタおよび陰極アーク源
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-518404 出願人：フィルプラスヴァキュームテクノロジーピーティーイー.リミテッド
成膜装置及び成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-349474 出願人：新明和工業株式会社, 滝川浩史
偏向磁場型真空アーク蒸着装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-169754 出願人：日新電機株式会社

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