特許

J-GLOBAL ID：200903043710218788

半導体レーザ素子の製造方法

発明者： 綿谷 力 ,  太田 徹 ,  柳楽 崇
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-209744
公開番号（公開出願番号）：特開2008-041688
出願日： 2006年08月01日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：

【課題】メサから埋込層へ電流が流れる無効電流経路が形成されるのを防ぐことができる半導体レーザ素子の製造方法を得る。【解決手段】Alを含む半導体材料からなる活性層を持つ半導体積層構造を形成する工程と、半導体積層構造をエッチングしてメサを形成する工程と、メサの側面を覆うように第1の埋め込み層を第1の成長温度で形成する工程と、第1の埋め込み層の上に第2の埋め込み層を第1の成長温度よりも高い第2の成長温度で形成してメサの周囲を埋め込む工程とを有する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板上に、Alを含む半導体材料からなる活性層を持つ半導体積層構造を形成する工程と、 前記半導体積層構造をエッチングしてメサを形成する工程と、 前記メサの側面を覆うように第1の埋め込み層を第1の成長温度で形成する工程と、 前記第1の埋め込み層の上に第2の埋め込み層を前記第1の成長温度よりも高い第2の成長温度で形成して前記メサの周囲を埋め込む工程とを有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01S 5/227

FI (1件)：

H01S5/227

Fターム (11件)：

5F173AA26 ,  5F173AA48 ,  5F173AH30 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP35 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ20 ,  5F173AR87 ,  5F173AR99

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-323925   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-382026   出願人：株式会社日立製作所, 日本オプネクスト株式会社
• メサ埋め込み型半導体レーザの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-173921   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-287683   出願人：三菱電機株式会社