特許
J-GLOBAL ID：200903037836832597

メサ埋め込み型半導体レーザの製造方法

発明者：
鹿島 保昌

鹿島 保昌 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-173921
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368339
出願日： 2001年06月08日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】 初期故障の少ないメサ埋め込み型半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 n-InP基板1上にInPバッファ層2、InGaAsP活性層3及びInPクラッド層4からなるメサストライプを形成する工程と、V族材料ガスPH3を導入しながらn-InP基板1の温度を550°C以下の温度に昇温し、所定時間III族材料ガスTMInを導入することによって、メサストライプの両脇の側部6上にInP低温成長保護層7を堆積させる工程と、V族材料ガスPH3を導入しながらn-InP基板1の温度を約600°Cに昇温し、III族材料ガスTMIn及びp形ドーパントDMZn、n形ドーパントSi2H6を導入することによって、低温成長保護層7の上にInPブロック層10を成長させる工程とを有する。
請求項（抜粋）：
基板上にバッファ層、活性層、クラッド層を順次積層する工程と、前記クラッド層上にマスク層を形成する工程と、前記マスク層をマスクとして、前記クラッド層、前記活性層、前記バッファ層をそれぞれ等方性エッチングする工程と、前記基板の温度を550°C以下の温度とし、V族材料ガス及びIII族材料ガスを導入することによって、前記エッチングによって露出した前記クラッド層、前記活性層、前記バッファ層のそれぞれの面に、保護層を形成する工程と、前記基板の温度を550°Cより高い温度に昇温し、V族材料ガス、III族材料ガス、及びドーパントをそれぞれ導入することによって、前記保護層の上にブロック層を成長させる工程とを有することを特徴とするメサ埋め込み型半導体レーザの製造方法。
IPC (4件)：
H01S 5/227 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
FI (4件)：
H01S 5/227 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
Fターム (41件)：
4K030AA11 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA25 ,  4K030BA51 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045EE12 ,  5F045HA13 ,  5F073AA22 ,  5F073AA89 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (8件)
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