特許
J-GLOBAL ID:200903043710250592

プラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-149995
公開番号(公開出願番号):特開2005-057244
出願日: 2004年05月20日
公開日(公表日): 2005年03月03日
要約:
【課題】サイズの異なる複数種類のウェハを簡便安価に同一のプラズマ処理装置によって処理対象とすることができるプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】ウェハの回路形成面の裏側のエッチング処理を行うプラズマ処理装置において、電極体3aの載置面3bに、大サイズのウェハ6A,小サイズのウェハ6Bの外周位置に応じて、環状のセラミックの絶縁膜26,27を配置する。ウェハ6Aを対象とするときはリング部材29を装着し、ウェハ6Bを対象とするときは、載置面3b上の絶縁膜26,27の間を覆い吸着孔3eを閉塞する閉塞部材9を載置し、更に閉塞部材9の上方を覆うカバー部材25を装着する。これにより、同一の電極体3aで異なるサイズのウェハをプラズマ処理の対象とすることができる。【選択図】図5
請求項(抜粋):
表側の面に絶縁シートが貼り付けられたウェハの裏面に対してプラズマ処理を行い、少なくとも大サイズおよび小サイズの2種類のウェハをプラズマ処理の対象とするプラズマ処理装置であって、 密閉空間を形成する処理室の内部に配置され前記大サイズのウェハよりも広い載置面を備えこの載置面に前記絶縁シートを接触させた状態でウェハを載置可能な一体型の電極体と、前記密閉空間の気体を排気して減圧する減圧手段と、減圧された前記密閉空間にプラズマ発生用のガスを供給するガス供給手段と、前記電極体に対向して配置された対向電極と、前記電極体と対向電極との間に高周波電圧を印加して前記プラズマ発生用のガスをプラズマ状態にするプラズマ発生手段と、前記電極体に直流電圧を印加することにより前記載置面上のウェハを静電吸着する直流電圧印加手段と、前記電極体を冷却する冷却手段とを備え、 前記電極体の載置面は、この載置面の中央部に設けられ電極体の素材である金属が露呈した第1領域と、前記第1領域の外側を環状に包囲し表面が絶縁膜で覆われた第1絶縁領域と、さらに第1絶縁領域の外側に環状に拡がって設けられ前記金属が露呈した第2領域と,前記第2領域の外側を環状に包囲し表面が絶縁膜で覆われた第2絶縁領域とに区画され、 前記第1領域と前記第1絶縁領域との境界を載置面の中央に載置された小サイズのウェハの外周よりも内側とするとともにこの第1絶縁領域と前記第2領域との境界を前記小サイズのウェハの外周の外側とし、前記第2領域と前記第2絶縁領域との境界を載置面の中央に載置された大サイズのウェハの外周よりも内側とするとともにこの第2絶縁領域を前記大サイズのウェハの外周の外側とし、さらに前記載置面に着脱自在であって前記第2領域を完全に覆う環状のカバー部材を備えたこと特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件):
H01L21/3065 ,  H01L21/68
FI (2件):
H01L21/302 101B ,  H01L21/68 R
Fターム (17件):
5F004AA07 ,  5F004BA04 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB29 ,  5F004DB01 ,  5F004FA06 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA08 ,  5F031HA16 ,  5F031HA38 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031PA16
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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