特許
J-GLOBAL ID：200903043711438161

有機ケイ酸塩ガラスにデュアルダマシン構造をエッチングするための方法

発明者：
フランナー・ジャネット・エム.

フランナー・ジャネット・エム. について

, 
モレイ・イアン

モレイ・イアン について


出願人/特許権者：
ラム リサーチ コーポレーション

ラム リサーチ コーポレーション について


代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-507435
公開番号（公開出願番号）：特表2004-503088
出願日： 2001年06月08日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】【解決手段】ウエハ内にデュアルダマシンエッチング構造を形成するための方法と、その方法に従って形成された半導体素子。本発明は、2段階のエッチングプロセスを用いて、有機ケイ酸塩誘電体層にデュアルダマシン構造を形成する。本発明の一実施形態によると、第1の低選択性エッチャントを用いて、第1のエッチング工程が実行され、その工程は、トレンチ誘電体(8)を完全にエッチングし、ビア誘電体(12)をほぼ完全にエッチングして、バリア層(14)によって保護された金属化オブジェクトを保護するバリア層の上に少量のビア誘電体を残す。第1のエッチング工程の後、第2の高選択性エッチャントを用いて、第2のエッチング工程が実行される。この第2のエッチング工程は、バリア層にほとんど損傷を与えることなく実行される。本発明の別の実施形態は、「トレンチ優先」エッチング方法に関する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ウエハ内にデュアルダマシンエッチング構造を形成するための方法であって、前記ウエハは、有機ケイ酸塩ガラス誘電体層を備え、前記方法は、 第1の低選択性エッチャントを用いて、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の大部分をエッチングし、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の残留部分を残す第1のエッチング工程と、 第2の高選択性エッチャントを用いて、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の前記残留部分をエッチング除去する第2のエッチング工程と、を備える、方法。
IPC (2件)：
H01L21/768 ,  H01L21/3065
FI (2件)：
H01L21/90 A ,  H01L21/302 105A
Fターム (41件)：
5F004AA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB24 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR23 ,  5F033SS04 ,  5F033XX03 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28
引用特許：
審査官引用 (4件)
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