特許
J-GLOBAL ID：200903098144499862
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-075938
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274122
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 有機層間絶縁膜を有する多層配線構造を備えた半導体装置において、前記有機層間絶縁膜上に、低誘電率の研磨ストッパ膜を形成し、さらに下層配線パターンにディッシングが生じた場合にも上層の配線パターンを歩留まり良く、安定して形成する。【解決手段】 前記低誘電率研磨ストッパ膜として有機SOG膜を使い、ディッシングが生じている下層配線パターン上に平坦化層間絶縁膜を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に有機SOG膜を形成する工程と、前記有機SOG膜および前記層間絶縁膜をパターニングして、前記有機SOG膜を貫通し前記層間絶縁膜中に到達する凹部を形成する工程と、前記有機SOG膜上に、前記凹部を埋めるように導体層を形成する工程と、前記導体層のうち、前記有機SOG膜よりも上に位置する部分を、前記有機SOG膜をストッパに化学機械研磨により除去し、前記凹部を埋めるように導体パターンを形成する工程とよりなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/316
, H01L 21/768
H01L 21/304 622 X
, H01L 21/316 G
, H01L 21/90 S
