薄膜半導体装置とその製造方法並びに画像表示装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小野寺洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-176095
公開番号（公開出願番号）：特開2005-012057
出願日： 2003年06月20日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【課題】多結晶半導体膜で作製された薄膜トランジスタの結晶配向を制御して、CMOS薄膜トランジスタの高性能化、高信頼化を実現する。【解決手段】絶縁性基板3上に、主たる配向が異なる半導体薄膜を、N型薄膜トランジスタのチャネル領域4、P型薄膜トランジスタのチャネル領域5で最適な配向をとるように作り分ける。絶縁性基板上3に、主たる配向が異なる半導体薄膜を作り分け、ソース・ドレイン領域6の配向が、不純物活性化速度が最も大きくなる配向となるようにする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

同一の絶縁性基板上に形成され、チャネル領域及びソース・ドレイン領域が半導体薄膜からなるN導電型薄膜トランジスタとP導電型薄膜トランジスタとで構成した相補型MOSの薄膜半導体装置であって、前記チャネル領域の半導体薄膜膜面の主たる結晶面配向が、前記N導電型薄膜トランジスタと前記P導電型薄膜トランジスタとで異なることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L21/336

FI (9件)：

H01L29/78 620 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L29/78 613A , H01L29/78 627G , H01L29/78 626C , H01L29/78 612B , H01L29/78 616L , H01L29/78 616S

Fターム (54件)：

2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JA47 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB44 , 2H092JB56 , 2H092JB61 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092NA22 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 2H092RA05 , 5F052AA02 , 5F052AA17 , 5F052CA04 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F052EA11 , 5F052FA13 , 5F052GA01 , 5F052GA02 , 5F052GB03 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F110AA01 , 5F110AA04 , 5F110AA14 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD25 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG44 , 5F110HJ23 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP36

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-162376
アクティブマトリクス型表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-180183 出願人：富士通株式会社
特開昭60-154548

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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