成膜方法、半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-220232
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164346
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】配線の腐食やリーク電流の増大を防止しつつ、層間絶縁膜全体として吸湿による誘電率の変動を抑制し、かつ誘電率を低くすることができる成膜方法、半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 Si-H結合を有するアルコキシ化合物、又はSi-H結合を有するシロキサンと、O2、N2O、NO2、CO、CO2、又はH2Oのうち何れか一の酸素含有ガスとからなる成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、シリコン含有絶縁膜24を形成することを特徴とする成膜方法による。

請求項（抜粋）：

Si-H結合を有するアルコキシ化合物、又はSi-H結合を有するシロキサンと、O2、N2O、NO2、CO、CO2、又はH2Oのうち何れか一の酸素含有ガスとからなる成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、シリコン含有絶縁膜を形成することを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , C23C 16/42 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 X , H01L 21/316 M , C23C 16/42 , H01L 21/90 J

Fターム (48件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA45 , 4K030BA48 , 4K030CA04 , 4K030FA01 , 4K030JA18 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ32 , 5F033KK11 , 5F033KK32 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ37 , 5F033RR11 , 5F033RR12 , 5F033RR29 , 5F033SS01 , 5F033SS03 , 5F033SS15 , 5F033TT01 , 5F033WW00 , 5F033WW04 , 5F033XX18 , 5F033XX24 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BD10 , 5F058BD19 , 5F058BF07 , 5F058BF09 , 5F058BF22 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF31 , 5F058BF34

引用特許：

審査官引用 (7件)

成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-006381 出願人：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
シリコン酸化膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-039671 出願人：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
成膜前処理方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-319868 出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

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