化学機械研磨方法及び化学機械研磨装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：河野登夫 , 河野英仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-423732
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183738
出願日： 2003年12月19日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】ディシング、スクラッチ、及びエロージョンの発生を抑制して精度良く被加工膜を研磨すると共に、研磨時の研磨速度(スループット)を低下させずに効率良く研磨することができる実用的な化学機械研磨方法及び化学機械研磨装置を提供する【解決手段】基板帯電工程での基板帯電手段1tへの正電圧の印加により半導体基板1の表面には負電荷1nが帯電している。研磨部帯電工程での研磨部帯電手段への正電圧の印加により研磨部9には正電荷9pが帯電している。研磨粒子10には半導体基板1から研磨部9の方向へ向かう静電力10fが作用し、研磨粒子10は被加工膜から離れる方向へ移動するので、被加工膜での研磨粒子10による摩擦を低減することができる。従って、被加工膜は研磨終点近くにおいて研磨速度を抑制された状態で研磨されるので、高精度の研磨処理を施される。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

研磨粒子を含有する研磨液を研磨部へ供給することにより半導体基板の表面に形成された被加工膜を研磨して平坦化する化学機械研磨方法において、前記半導体基板の表面を前記研磨粒子の帯電電荷と同極性の電荷で帯電させる基板帯電工程を備えることを特徴とする化学機械研磨方法。

IPC (3件)：

H01L21/304 , B24B37/00 , H01L21/3205

FI (4件)：

H01L21/304 621D , H01L21/304 622X , B24B37/00 K , H01L21/88 K

Fターム (26件)：

3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058BC02 , 3C058CB01 , 3C058DA13 , 3C058DA17 , 5F033HH04 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033KK25 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033QQ50 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033RR15 , 5F033SS11 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033XX01

引用特許：

出願人引用 (1件)

研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-299937 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (4件)

半導体装置の研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-306160 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-351302 出願人：株式会社東芝
特開昭59-080933

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