特許
J-GLOBAL ID：200903043762040049
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-195669
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135325
出願日： 1994年08月19日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】 GAA(Gate All Around)トランジスタを備える半導体装置において、GAAトランジスタの多層化と構造の微細化により、半導体装置の集積度を高めること、及びそのための製造方法を得る。【構成】 半導体基板1上の第1のシリコン酸化膜2に、異方性エッチングにより開口部4を形成した後、そこにダミー部材を埋め込み、それに重ねてトランジスタのチャネルシリコン膜3を薄膜形成法により形成する。そしてダミー部材を除去した後に、開口部4の空隙を利用して、チャネルシリコン膜3を覆うように形成されてその両側にチャネルをつくるゲート電極6を形成することにより製造する。【効果】 チャネルシリコン膜3をポリシリコンで構成し、シリコン単結晶で構成しないので多層化できる。また、開口部4を異方性エッチングにより設けるので微細な構造とすることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁膜が形成された半導体基板との間に空間部を設けて形成されたチャネル部材と、上記チャネル部材を覆うように形成され、上記チャネル部材の両面にチャネルを生じさせる制御電極とをもつトランジスタを備えた半導体装置において、上記チャネル部材を多結晶半導体で構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/306
H01L 29/78 311 G
, H01L 21/306 E
, H01L 21/306 F
