特許
J-GLOBAL ID：200903076084586090

可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置

発明者：
山崎 信夫

山崎 信夫 について

, 
小田部 拓也

小田部 拓也 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-209697
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027537
出願日： 2005年07月20日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】 第1電極と第2電極の間に可変抵抗体を設けてなり、両電極間に電圧パルスを印加することにより電気抵抗が変化する可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置では、製造工程途中で存在する水素若しくは酸素の影響による可変抵抗体の還元反応若しくは酸化反応で、可変抵抗素子の抵抗値が変動してしまうので、抵抗値が揃った可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置を再現性良く安定に製造することができなかった。 【解決手段】 可変抵抗体の還元反応を促進する還元種、及び酸化反応を促進する酸化種の透過をブロックする作用を有する材料から構成される反応阻止膜を少なくとも1層有する構造としたので、可変抵抗素子の抵抗値の変動が抑制され、抵抗値のばらつきの少ないかつ制御性の良好な半導体記憶装置を再現性良く実現させることができる。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1電極と第2電極の間に可変抵抗体を設けてなり、前記第1電極と前記第2電極間に電圧パルスを印加することにより、前記第1電極と前記第2電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置において、 少なくとも1層の反応阻止膜を有することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/10 ,  H01L 43/08 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (4件)：
H01L27/10 451 ,  H01L43/08 M ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z
Fターム (15件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA25 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6204139号明細書
審査官引用 (12件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM