特許
J-GLOBAL ID：200903043839178707
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-216670
公開番号（公開出願番号）：特開2001-042545
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置を構成するパターンの転写精度を向上させる。【解決手段】 2枚のフォトマスクを用いた重ね合わせ露光処理によって、所定のパターンを転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、位相シフタ3dを有する一方のフォトマスク3に、パターンのくびれが生じるのを補正するための補助パターンとして機能する遮光領域3B3 を設けたものである。
請求項（抜粋）：
(a)第1のコヒーレントファクタ条件で露光処理を行うことにより、第1のマスクのパターンを半導体基板上に転写する第1の露光工程と、(b)前記第1のコヒーレントファクタよりも小さい第2のコヒーレントファクタ条件で露光処理を行うことにより、第2のマスクのパターンを前記半導体基板上に転写する第2の露光工程と、(c)前記第1および第2の露光工程によって前記半導体基板上に所定のパターンを形成する工程とを有し、前記第2のマスクには、透過光の位相が互いに反転する複数の光透過領域が隣り合うように配置されており、その光透過領域の境界領域の所定の平面位置に、その各々の光透過領域の幅が狭くなるような第1の補助パターンが設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
G03F 7/26 511
, H01L 21/027
G03F 7/26 511
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 514 A
2H096AA25
, 2H096BA09
, 2H096EA05
, 2H096EA12
, 2H096HA23
, 5F046AA11
, 5F046AA25
, 5F046BA04
, 5F046CA04
, 5F046CB17
