特許

J-GLOBAL ID：200903043886176267

シリコンダイアフラムを有する静電容量型真空計

発明者： 白田 卓也 ,  高橋 勉 ,  大沼 恵則
出願人/特許権者： 帝人製機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-010881
公開番号（公開出願番号）：特開2002-214059
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：

【要約】【課題】 耐腐食性の高いシリコンダイアフラムを有し、長期安定性を確保したシリコンダイアフラムを有する静電容量型真空計を提供する。【解決手段】 シリコンダイアフラム2を形成したシリコン基板1の接ガス部に、腐食性ガスに対する保護膜として酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタンのうちいずれか一つを、被覆する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に形成された、圧力に応じて変位可能なシリコンダイアフラムを有する静電容量型真空計において、そのシリコンダイアフラムの接ガス面に、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタンのうちのいずれか一つを保護膜として被覆したことを特徴とするシリコンダイアフラムを有する静電容量型真空計。

IPC (3件)：

G01L 9/12 ,  G01L 19/06 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

G01L 9/12 ,  G01L 19/06 Z ,  H01L 29/84 Z

Fターム (15件)：

2F055AA31 ,  2F055BB08 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF11 ,  2F055FF38 ,  2F055GG11 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA03 ,  4M112CA14 ,  4M112EA03 ,  4M112EA11 ,  4M112FA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 真空圧力センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-188460   出願人：帝人製機株式会社
• 半導体圧力センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-257035   出願人：松下電工株式会社
• 半導体圧力センサおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-172201   出願人：テルモ株式会社
• 半導体圧力センサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-344779   出願人：松下電工株式会社