薄膜トランジスタパネルの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-023726
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031780
出願日： 2002年01月31日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】高性能で高信頼性の薄層トランジスタパネルを製造する新しい方法及び装置を提供する。【解決手段】シリコン基体(10)を提供すること、シリコン基体の前面に透明絶縁体(12)を形成すること、複数の薄膜トランジスタ構造(14)及び対応する複数の透明電極(18)を、透明絶縁体上に形成すること、シリコン基体の前面に透明基体(30)を結合させること、シリコン基体を除去すること、及び透明絶縁体をエッチングして、透明電極を露出させることを少なくとも含む、薄膜トランジスタパネルの製造方法とする。

請求項（抜粋）：

シリコン基体を提供すること、前記シリコン基体の前面に透明絶縁体を形成すること、複数の薄膜トランジスタ構造及び対応する複数の透明電極を、前記透明絶縁体上に形成すること、前記シリコン基体の前面に透明基体を結合させること、前記シリコン基体を除去すること、及び前記透明絶縁体をエッチングして、前記透明電極を露出させること、を少なくとも含む、薄膜トランジスタパネルの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 , G02F 1/1368 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 27/12 B , H01L 27/12 P , G02F 1/1368 , H01L 29/78 627 D

Fターム (57件)：

2H092HA04 , 2H092JA24 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB51 , 2H092JB52 , 2H092JB56 , 2H092JB58 , 2H092KA03 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA07 , 2H092KA08 , 2H092KA10 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KA19 , 2H092KB04 , 2H092KB05 , 2H092KB13 , 2H092KB22 , 2H092KB25 , 2H092KB26 , 2H092MA01 , 2H092MA02 , 2H092MA05 , 2H092MA12 , 2H092MA16 , 2H092MA22 , 2H092MA27 , 2H092MA37 , 2H092MA42 , 2H092NA21 , 2H092PA01 , 2H092PA08 , 2H092PA09 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE02 , 5F110EE09 , 5F110EE44 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN72 , 5F110QQ16 , 5F110QQ17

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平1-181570
特開平4-178633
特表平6-504139

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