特許

J-GLOBAL ID：200903043998971582

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 長谷川 幸士 ,  金生 剛 ,  渡辺 武 ,  中島 睦雄 ,  橘 誠一郎 ,  西 恒寛 ,  畠山 潤
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-293858
公開番号（公開出願番号）：特開2002-105130
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：

【要約】 (修正有)【解決手段】 一般式(1)で表される珪素含有基を含むことを特徴とする高分子化合物。(式中、R1〜R4は、水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を表す。或いは、R1、R2は互いに結合して脂肪族炭化水素環を形成していてもよく、その脂肪族炭化水素環中の-CH2-は-Si(R8)2-基(式中R8は炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を表す)で置換されていてもよい。R3、R4も互いに結合して脂肪族炭化水素環を形成していてもよく、その脂肪族炭化水素環中の-CH2-は-Si(R8)2-基で置換されていてもよい。R5〜R7C1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化したC1〜20のアルキル基、又はC6〜20のアリール基を表し、mは1又は2である。)【効果】 酸素プラズマエッチング耐性に優れ、特に優れた2層レジスト用の材料となる。

請求項（抜粋）：

一般式(1)で表される珪素含有基を含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1〜R4は同一もしくは異なっていてもよく、水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を表す。或いは、R1、R2は互いに結合して脂肪族炭化水素環を形成していてもよく、その脂肪族炭化水素環中の-CH2-は-Si(R8)2-基(式中R8は同一もしくは異なっていてもよく、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を表す)で置換されていてもよい。R3、R4も互いに結合して脂肪族炭化水素環を形成していてもよく、その脂肪族炭化水素環中の-CH2-は-Si(R8)2-基(式中R8は上記と同様である)で置換されていてもよい。R5〜R7は同一もしくは異なっていてもよく、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化した炭素数1〜20のアルキル基、又は炭素数6〜20のアリール基を表し、mは1又は2である。)

IPC (7件)：

C08F 30/08 ,  C08F 32/00 ,  C08K 5/00 ,  C08L101/10 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

C08F 30/08 ,  C08F 32/00 ,  C08K 5/00 ,  C08L101/10 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (81件)：

2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025CB34 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA01 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  4J002BC101 ,  4J002BC121 ,  4J002BC122 ,  4J002BG071 ,  4J002BH021 ,  4J002BK001 ,  4J002CC052 ,  4J002CE002 ,  4J002EB006 ,  4J002EF087 ,  4J002EF097 ,  4J002EJ017 ,  4J002EJ037 ,  4J002EJ047 ,  4J002EL067 ,  4J002EL087 ,  4J002EQ016 ,  4J002ES016 ,  4J002EV236 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002FD202 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002GP03 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AK32Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AM47P ,  4J100AR09P ,  4J100AR11P ,  4J100BA02P ,  4J100BA02R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA72P ,  4J100BA72R ,  4J100BA80P ,  4J100BA80R ,  4J100BC04P ,  4J100BC53Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100FA03 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開昭60-260946
  
• 特開昭60-260946
  
• レジスト組成物、および基板上にパタ-ン形成したレジスト層を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-013834   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• ポジ型フォトレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-307317   出願人：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型フォトレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-350505   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 珪素含有化合物、レジスト組成物およびパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-095990   出願人：信越化学工業株式会社
• 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-037403   出願人：信越化学工業株式会社
• 特開昭60-260946