特許
J-GLOBAL ID：200903044035829698
発光ダイオード及びその製造方法
出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社
スタンレー電気株式会社 について
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-283989
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121795
出願日： 1997年10月16日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 フォトリソグラフィ工程の増加を抑制し、かつ光の外部取出効率を高めることができる発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】 GaPと格子整合しない半導体材料からなる支持基板の主表面上に発光層が形成されている。発光層は、支持基板に格子整合するAlGaInP系化合物半導体からなる層を含み、かつ支持基板に格子整合する化合物半導体からなるp型層とn型層とを含む。発光層の上に光散乱層が形成されている。光散乱層は、GaPからなり、発光層から放射された光を散乱させるように表面を粗くされている。光散乱層の表面の一部の領域上に、該光散乱層に直接接するように光取出側電極が形成されている。
請求項（抜粋）：
主表面を有し、GaPと格子整合しない半導体材料からなる支持基板と、前記支持基板の主表面上に形成され、前記支持基板に格子整合するAlGaInP系化合物半導体からなる層を含み、かつ前記支持基板に格子整合する化合物半導体からなるp型層とn型層とを含む発光層と、前記発光層の上にGaPにより形成され、前記発光層から放射された光を散乱させるように表面を粗くした光散乱層と、前記光散乱層の表面の一部の領域上に、該光散乱層に直接接するように形成された光取出側電極とを有する発光ダイオード。
引用特許：
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