特許
J-GLOBAL ID：200903044048101685
シリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法およびこの方法により得られたシリコンまたはシリコン化合物薄膜
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-172885
公開番号（公開出願番号）：特開平11-006054
出願日： 1997年06月13日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 成膜時に他の構造膜にダメージを与えたり、フレークを生じることなく、高い成膜レートが得られるシリコン、または高耐圧、高硬度が得られるシリコン化合物薄膜の成膜方法およびその方法により得られたシリコンまたはシリコン化合物薄膜を提供する。【解決手段】 高密度プラズマガンを用いて材料を蒸発させ、基板上にシリコンまたはシリコン化合物薄膜を成膜するシリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法とした。
請求項（抜粋）：
高密度プラズマガンを用いて材料を蒸発させ、基板上にシリコンまたはシリコン化合物薄膜を成膜するシリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (8件)
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光学薄膜の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-231681
出願人：株式会社ニコン
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特開昭63-145766
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透明安定被膜形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-120032
出願人：石丸肇, 月島機械株式会社
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