半導体装置の製造方法およびこの方法で得られる半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲葉良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-101822
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092260
出願日： 2002年04月03日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】大きなガラス基板上に、多数の高性能薄膜トランジスタを容易に形成する。【解決手段】基板1上に絶縁膜2を形成し、絶縁膜2の面内の所定位置に四角錐状の穴21を形成する。次に、この絶縁膜2の上に非晶質珪素膜4を形成し、非晶質珪素膜4にレーザを照射する。これにより、穴21の底部内の非晶質珪素を非溶融状態に保持しながら、その他の部分の非晶質珪素膜を溶融状態にし、非溶融状態に保持された非晶質珪素を結晶核とした結晶成長を生じさせて、非晶質珪素膜の面内の穴21を中心とした領域を略単結晶状態の珪素膜とする。この略単結晶状態の珪素膜を半導体膜として使用して薄膜トランジスタを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の面内の所定位置に、前記面に対して垂直に延びる穴を、この穴の前記面と平行な断面が基板側に向けて小さくなるように開けた後、前記絶縁膜上に、所定厚さで非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜に所定条件でレーザを照射して、前記穴の底部内の非晶質珪素を非溶融状態に保持しながら、その他の部分の非晶質珪素膜を溶融状態にすることにより、非溶融状態に保持された非晶質珪素を結晶核とした結晶成長を生じさせて、非晶質珪素膜の面内の前記穴を中心とした領域を略単結晶状態の珪素膜とし、この略単結晶状態の珪素膜を半導体膜として使用して半導体装置を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 626 C

Fターム (59件)：

5F052AA02 , 5F052BB07 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA11 , 5F052EA12 , 5F052FA13 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA17 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110DD21 , 5F110DD25 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE38 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110FF31 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP10 , 5F110PP23 , 5F110PP36 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-206150 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体薄膜の結晶化方法及び薄膜半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-224520 出願人：ソニー株式会社
特開平1-264215

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引用文献：

審査官引用 (1件)

"Location-Controlled Large-Grains in Near Agglomeration Excimer-Laser Crystallized Silicon Films"

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