特許
J-GLOBAL ID：200903044072773953

絶縁膜のエッチング方法

発明者：
藤本 究

藤本 究 について

, 
和田 暢弘

和田 暢弘 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-248074
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087875
出願日： 2002年08月28日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】絶縁膜のエッチングにおいて良好な異方性(垂直)形状とマスクおよび下地膜の双方に対する高い選択比を確保しつつエッチストップを防止する。【解決手段】CHF3/Ar/N2の混合ガスを用いる第1ステップのプラズマエッチングが終了したなら、プラズマを消した状態でArガス供給源46よりArガスをパージングガスとして処理容器10内に送り込む。これによって、処理容器10内に残留していた水素や水素化合物がパージングガスに巻き込まれるようにして排気口10bから排気管52を通って排出される。このパージング工程の終了後に、C4F8/Ar/N2の混合ガスを用いて第2ステップのプラズマエッチングが行われる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理容器内でエッチングガスのプラズマを生成し、前記プラズマの雰囲気下で被処理基板上の絶縁膜をマスクパターンを介してエッチングする方法において、 前記処理容器内に炭素、フッ素および水素を含む第1のエッチングガスを導入して、前記絶縁膜を所望の深さまでエッチングする第1の工程と、 前記処理容器内に残留した水素および水素化合物の少なくとも一方を前記処理容器の外へ排出する第2の工程と、 前記処理容器内に炭素およびフッ素を含み水素を含まない第2のエッチングガスを導入して、前記絶縁膜のエッチングを引き続き行う第3の工程と を有する絶縁膜のエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L21/3065 ,  H01L21/768
FI (2件)：
H01L21/302 105A ,  H01L21/90 S
Fターム (33件)：
5F004AA05 ,  5F004BA08 ,  5F004BB13 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR06 ,  5F033RR23 ,  5F033SS11 ,  5F033TT03 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 膜の平坦化方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-138945   出願人：三洋電機株式会社
  • 接続孔形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-051222   出願人：日本電気株式会社
  • 表面処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-276612   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立インダストリイズ
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審査官引用 (5件)
  • 膜の平坦化方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-138945   出願人：三洋電機株式会社
  • 接続孔形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-051222   出願人：日本電気株式会社
  • 表面処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-276612   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立インダストリイズ
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