特許
J-GLOBAL ID:200903044108854327
ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 青山 正和
, 村山 靖彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-145612
公開番号(公開出願番号):特開2006-324417
出願日: 2005年05月18日
公開日(公表日): 2006年11月30日
要約:
【課題】 ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮できるウェーハの研磨装置及びウェーハ研磨方法の提供。【解決手段】 軸を中心に回転するキャリアプレート14に保持されたウェーハWを、上記軸と異なる軸を中心として回転する研磨定盤12に設けられた研磨パッド11に押圧摺動して研磨するウェーハ研磨装置において、研磨スラリーを研磨パッド11の表面に供給する手段16が設けられ、該研磨スラリー供給手段16は供給する研磨スラリーを粒径の異なるものに切り替え可能な構成とされ、上記粒径が異なる研磨スラリーは、粒径が60nm〜140nmの研磨剤を含有する第1の研磨スラリー39と、粒径が50nm〜70nmの研磨剤を含有する第2の研磨スラリー40であるウェーハ研磨装置。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
軸を中心に回転するキャリアプレートに保持されたウェーハを、前記軸と異なる軸を中心として回転する研磨定盤に設けられた研磨パッドに押圧摺動して研磨するウェーハ研磨装置において、
粒径の異なる研磨スラリーを前記研磨パッドの表面に供給する手段が設けられたことを特徴とするウェーハ研磨装置。
IPC (3件):
H01L 21/304
, B24B 37/00
, B24B 57/02
FI (5件):
H01L21/304 622E
, H01L21/304 622D
, B24B37/00 H
, B24B37/00 K
, B24B57/02
Fターム (8件):
3C047FF08
, 3C047GG15
, 3C058AA07
, 3C058AC04
, 3C058CB01
, 3C058CB03
, 3C058DA02
, 3C058DA17
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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研磨装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-300656
出願人:横河電機株式会社
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特許第6227949号
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半導体ウエハの研磨方法および研磨装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-045487
出願人:株式会社東芝
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特開昭64-078758
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研磨装置及び研磨方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-340063
出願人:株式会社日立製作所
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特開平4-129664
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浮遊砥粒式研磨装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-352042
出願人:株式会社村田製作所
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化学機械研磨装置および方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-188355
出願人:キヤノン株式会社
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