特許
J-GLOBAL ID：200903044168289335
イメージ素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-361080
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179903
出願日： 2005年12月14日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】光透過度が向上されるCMOSイメージセンサーの製造方法が開示される。【解決手段】まず、フォトダイオードが形成されている基板上に不透明膜を有する第1層間絶縁構造物を形成する。前記第1層間絶縁構造物上で前記フォトダイオードと対向する部位にエッチング阻止膜パターンを形成する。前記エッチング阻止膜パターン及び第1層間絶縁構造物上に不透明膜を有する第2層間絶縁構造物を形成する。その後、前記フォトダイオードが露出しないようにしながら、前記フォトダイオードと対向する部位の前記第2層間絶縁構造物、エッチング阻止膜パターン及び第1層間絶縁構造物を順次エッチングして開口部を形成する。前記工程によると、フォトダイオードに光透過される部位に不透明膜が除去されることによってCMOSイメージセンサーの光透過度が向上する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
フォトダイオードが形成されている基板上に不透明膜を有する第1層間絶縁構造物を形成する段階と、
前記第1層間絶縁構造物上で前記フォトダイオードと対向する部位にエッチング阻止膜パターンを形成する段階と、
前記エッチング阻止膜パターン及び第1層間絶縁構造物上に不透明膜を有する第2層間絶縁構造物を形成する段階と、
前記フォトダイオードが露出しないようにし、かつ、前記フォトダイオードと対向する部位の前記第2層間絶縁構造物、エッチング阻止膜パターン及び第1層間絶縁構造物を順次エッチングして開口部を形成する段階と、を含むことを特徴とするイメージ素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118EA18
, 4M118FA06
, 4M118GA09
, 4M118GC08
, 4M118GD04
