特許
J-GLOBAL ID：200903044290095703

融液原料供給装置および多結晶体または単結晶体製造装置

発明者：
大木 和樹

大木 和樹 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至 ,  石田 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-121296
公開番号（公開出願番号）：特開2007-290914
出願日： 2006年04月25日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【課題】多結晶体または単結晶体製造装置の主坩堝に融液原料を供給するに際し、特別な加熱手段を設けることなく、また融液原料の液温が該原料の融点付近の比較的低い温度でも、融液原料の凝固を防止し、融液原料を少量ずつ連続的に供給することができる融液原料供給装置を提供する。【解決手段】融解槽を有する副坩堝2と、副坩堝2の周囲に設けられる加熱手段8と、副坩堝2の融解槽に固体原料を供給する原料供給手段9とを含む融液原料供給装置1において、副坩堝2の融解槽と加熱手段8との間に空隙部3を形成し、この空隙部3を介して融解槽から溢れ出る融液原料5を多結晶体または単結晶体製造装置の主坩堝に供給する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
多結晶体または単結晶体製造装置の主坩堝に融液原料を供給する融液原料供給装置であって、 融液原料または融液原料と固体原料とを貯留する凹所である融解槽を有する副坩堝と、 副坩堝の周囲に設けられる加熱手段と、 副坩堝の融解槽と加熱手段との間に形成される空隙部と、 副坩堝の融解槽に固体原料を供給する原料供給手段とを含み、 原料供給手段による副坩堝の融解槽への固体原料の供給によって融解槽から溢れ出る融液原料を、空隙部を介して多結晶体または単結晶体製造装置の主坩堝に供給することを特徴とする融液原料供給装置。
IPC (4件)：
C30B 15/02 ,  C30B 19/00 ,  C30B 29/06 ,  C01B 33/02
FI (6件)：
C30B15/02 ,  C30B19/00 Z ,  C30B29/06 502A ,  C30B29/06 501B ,  C01B33/02 E ,  C01B33/02 Z
Fターム (21件)：
4G072AA01 ,  4G072BB11 ,  4G072BB12 ,  4G072GG04 ,  4G072HH01 ,  4G072NN01 ,  4G072NN03 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF09 ,  4G077CG10 ,  4G077EG18 ,  4G077HA01 ,  4G077HA12 ,  4G077PB02 ,  4G077PB08 ,  4G077PB11 ,  4G077QA04 ,  4G077QA58
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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