特許

J-GLOBAL ID：200903044296141154

半導体装置の作製方法

発明者： 志賀 愛子 ,  宮入 秀和 ,  田中 幸一郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-232576
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142402
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 線状レーザ光を重ね合わせて半導体膜に照射すると、半導体膜上に縞が発生してしまい、半導体膜の特性に悪影響を与えてしまうという問題があった。【解決手段】 酸素を含む雰囲気において非晶質半導体膜に第1条件のレーザ光を照射を行って結晶化させた後、第1条件のレーザ光照射工程で形成された酸化膜を除去し、その後に不活性気体または真空雰囲気において出力エネルギーが15J以上のレーザ光照射装置を用いて、レーザ光照射部のエネルギー分布が±3%以下であるあって、レーザ光の照射面積が30cm2以上の第2条件の面状のレーザ光の照射を行うことで結晶質半導体膜表面の平坦性を向上させる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に非晶質半導体膜を形成する第1の工程と、酸素を含む雰囲気において、前記非晶質半導体膜に第1条件のレーザ光を照射して結晶質半導体膜を形成する第2の工程と、前記結晶質半導体膜の表面に形成された酸化膜を除去する第3の工程と、前記第3の工程の後、前記結晶質半導体膜に出力エネルギーが15J以上のレーザ光照射装置を用いて、レーザ光照射部のエネルギー分布が±3%以下である第2条件の面状のレーザ光を照射して前記結晶質半導体膜の表面を平坦化する第4の工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z ,  H01L 29/78 627 A

Fターム (122件)：

2H092GA48 ,  2H092GA50 ,  2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092JA25 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA13 ,  2H092KA18 ,  2H092KA19 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092MA22 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA41 ,  2H092NA21 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  2H092PA02 ,  2H092PA03 ,  2H092PA07 ,  2H092PA08 ,  2H092PA09 ,  2H092PA10 ,  2H092PA11 ,  2H092RA05 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052BA11 ,  5F052BA14 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052CA08 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA12 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP31 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ21 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-232546   出願人：富士通株式会社
• 半導体薄膜結晶化方法及びレ-ザ照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-002386   出願人：ソニー株式会社
• 薄膜半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-086458   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-028649   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-151819
  
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-347343   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所