ダイナミックRAM

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-135439
公開番号（公開出願番号）：特開平11-039872
出願日： 1998年05月18日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 VSSプリチャージ方式を採用するダイナミックRAMに関し、メモリセルにハイデータが書き込まれている場合におけるセルトランジスタのリーク電流を低減化する。【解決手段】ビット線を接地電圧にプリチャージするとともに、ワード線WLの非選択時、ワード線WLを負電圧とするワードデコーダを備える。

請求項（抜粋）：

ビット線及びワード線に接続されたメモリセルと、ビット線を接地電圧にプリチャージするビット線プリチャージ回路と、ワード線が選択されない時にこのワード線を負電圧とするワード線デコーダとを有することを特徴とするダイナミックRAM。

IPC (2件)：

G11C 11/407 , G11C 11/409

FI (2件)：

G11C 11/34 354 D , G11C 11/34 353 F

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-005290
特開平3-052189
特開昭63-313392

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