特許
J-GLOBAL ID:200903044358046218
記憶装置、及び記憶装置のバックアップ方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西川 惠清 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-060910
公開番号(公開出願番号):特開2003-256295
出願日: 2002年03月06日
公開日(公表日): 2003年09月10日
要約:
【要約】【課題】 電源のオフを検知してから実際に電源がオフするまでの間に確実にデータを不揮発性メモリのに記憶させ、不揮発性メモリの記憶領域の寿命を長くした記憶装置、及び記憶装置のバックアップ方法を提供する。【解決手段】 CPU3は、演算制御処理を行うことで、電源オフ検知回路2が電源のオフを検知した時にRAM6のデータを読み出してEEPROM5に書き込むバックアップ動作を行うバックアップ手段と、電源のオン時にEEPROM5に記憶したデータを読み出してRAM6に書き込むデータ復帰動作を行うデータ復帰手段と、データ復帰動作の直後にEEPROMのデータを消去するデータ消去手段とを構成している。
請求項(抜粋):
データが読み書きされる揮発性メモリと、少なくとも1個の記憶領域を有し、電気的に書き換え可能なバックアップ用不揮発性メモリと、電源のオフを検知する検知手段と、前記検知手段が電源のオフを検知した時に前記揮発性メモリのデータを読み出して前記不揮発性メモリの記憶領域に書き込むバックアップ動作を行うバックアップ手段と、電源のオン時に前記不揮発性メモリの記憶領域のデータを読み出して前記揮発性メモリに書き込むデータ復帰動作を行うデータ復帰手段と、前記データ復帰動作の直後に前記不揮発性メモリの記憶領域のデータを消去するデータ消去手段とを備えることを特徴とする記憶装置。
IPC (2件):
G06F 12/16 340
, G06F 1/30
FI (2件):
G06F 12/16 340 Q
, G06F 1/00 341 M
Fターム (10件):
5B011HH01
, 5B011JA04
, 5B011MB07
, 5B018GA04
, 5B018HA23
, 5B018KA03
, 5B018NA01
, 5B018NA06
, 5B018QA05
, 5B018QA11
引用特許:
審査官引用 (7件)
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特開平4-355601
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データ記憶方式
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-022454
出願人:オムロン株式会社
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フラッシュメモリの制御装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-302109
出願人:富士通株式会社
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