特許
J-GLOBAL ID：200903044396562033

表示装置

発明者：
張 宏勇

張 宏勇 について

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坂倉 真之

坂倉 真之 について

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池田 隆之

池田 隆之 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-273456
公開番号（公開出願番号）：特開平11-095687
出願日： 1997年09月20日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 アクティブマトリクス型パネルの素子基板に形成された遮光膜表面での光反射を防止して、表示特性を向上する。【解決手段】基板100上に、画素ごとに電気的に分離された画素電極230と、TFT200と、遮光膜300が設けられている。遮光膜300は、少なくとも画素電極230の隙間と重なるように配置され、画素電極230の隙間において、層間絶縁膜221を介してその表面が露出されている。遮光膜300は、金属等の導電性材料でなる電極層310と、その表面に形成された可視光を吸収する絶縁性の中間物膜320で構成される。中間物膜320によって画素電極230の隙間から入射した可視光が吸収され、電極層310で光が反射することを防ぐ。
請求項（抜粋）：
画素ごとに電気的に分離された複数の画素電極と、各前記画素電極に接続された能動素子と、前記画素電極よりも下層に形成され、前記画素電極の隙間を少なくとも覆う遮光膜とが同一基板上に形成された画素領域を備えた表示装置であって、前記遮光膜は、電極層と、該電極層上に形成された中間膜とを有し、前記中間物膜は、可視光を吸収する光吸収層を少なくとも1層有することを特徴とする表示装置。
IPC (5件)：
G09F 9/30 349 ,  G02B 5/00 ,  G02F 1/1335 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
G09F 9/30 349 C ,  G02B 5/00 B ,  G02F 1/1335 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 619 B
引用特許：
審査官引用 (11件)
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