特許
J-GLOBAL ID：200903044422464215

半導体膜の製造方法および製造装置

発明者：
乾 哲也

乾 哲也 について

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中山 純一郎

中山 純一郎 について

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谷口 仁啓

谷口 仁啓 について

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中谷 政次

中谷 政次 について

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綱沢 啓

綱沢 啓 について

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岡崎 真也

岡崎 真也 について

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関 政則

関 政則 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-394003
公開番号（公開出願番号）：特開2005-158942
出願日： 2003年11月25日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 半導体膜の表面に段差がなく、全体に平坦な半導体膜を製造する。また、表面に荒れがなく、酸素などの不純物が混入していない高品質の素子を形成する。【解決手段】 本発明の製造方法は、レーザ光を利用する半導体膜の製造方法であって、基板上に半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、半導体膜上に第1の光学膜を形成する第1の光学膜形成工程と、第1の光学膜の一部を除去することにより、第1の光学膜が形成されている領域と、第1の光学膜が形成されていない領域とに分けるパターニング工程と、第1の光学膜が形成されている領域と、第1の光学膜が形成されていない領域に、第2の光学膜を形成する第2の光学膜形成工程と、第2の光学膜を通して、半導体膜に第1のレーザ光を照射し、半導体膜を溶融する第1のレーザ光照射工程と、溶融した半導体を結晶化する結晶化工程とを備える製造方法であり、第1の光学膜が形成されている領域におけるレーザ光の反射率が、第1の光学膜が形成されていない領域におけるレーザ光の反射率と等しくなるように設定することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
レーザ光を利用する半導体膜の製造方法であって、 基板上に半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、 前記半導体膜上に第1の光学膜を形成する第1の光学膜形成工程と、 前記第1の光学膜の一部を除去することにより、第1の光学膜が形成されている領域と、第1の光学膜が形成されていない領域とに分けるパターニング工程と、 第1の光学膜が形成されている前記領域と、第1の光学膜が形成されていない前記領域に、第2の光学膜を形成する第2の光学膜形成工程と、 前記第2の光学膜を通して、半導体膜に第1のレーザ光を照射し、半導体膜を溶融する第1のレーザ光照射工程と、 溶融した半導体を結晶化する結晶化工程 とを備える製造方法であり、 第1の光学膜が形成されている前記領域におけるレーザ光の反射率が、第1の光学膜が形成されていない前記領域におけるレーザ光の反射率と等しくなるように設定することを特徴とする半導体膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (2件)：
H01L21/20 ,  H01L29/78 627G
Fターム (36件)：
5F052AA02 ,  5F052BA11 ,  5F052BA12 ,  5F052BB02 ,  5F052BB04 ,  5F052BB06 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052DB04 ,  5F052DB07 ,  5F052EA06 ,  5F052FA27 ,  5F052GB11 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA18 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP11 ,  5F110PP23 ,  5F110PP24 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (18件)
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