特許
J-GLOBAL ID：200903044434100995

固体撮像素子、撮像装置、及び固体撮像素子の製造方法

発明者：
乾谷 正史

乾谷 正史 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-263205
公開番号（公開出願番号）：特開2009-094273
出願日： 2007年10月09日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：
【課題】固定パターンノイズ発生がなく、また、繋ぎ合わせの為の光学系も不要で、高感度、高速読み出し、大サイズ、ローコストを実現可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】回路基板1上方に一次元状又は二次元状に配設された多数の光電変換素子(画素電極41、光電変換層42、及び対向電極43)を有する固体撮像素子100であって、多数の光電変換素子が複数の光電変換素子群に分割され、回路基板1と多数の光電変換素子との間に複数の光電変換素子群の各々に対応して設けられた半導体基板20を備え、半導体基板20には、該半導体基板20に対応する光電変換素子群の各光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を出力する信号出力部(MOS回路21等)が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上方に一次元状又は二次元状に配設された多数の光電変換素子を有する固体撮像素子であって、 前記多数の光電変換素子が複数の光電変換素子群に分割され、 前記基板と前記多数の光電変換素子との間に前記複数の光電変換素子群の各々に対応して設けられた半導体基板を備え、 前記半導体基板には、前記半導体基板に対応する前記光電変換素子群の各光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を出力する信号出力部が形成されている固体撮像素子。
IPC (1件)：
H01L 27/146
FI (1件)：
H01L27/14 E
Fターム (9件)：
4M118AA05 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA05 ,  4M118CA06 ,  4M118CA32 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118CB20
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (6件)
  • 放射線検出器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-295650   出願人：株式会社日立メディコ
  • 固体撮像素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-188301   出願人：キヤノン株式会社
  • X線撮像装置及びX線CT装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-288863   出願人：富士フイルム株式会社
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