特許
J-GLOBAL ID：200903060637584888

レジストパタ-ンの形成方法

発明者：
松山 雄二

松山 雄二 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232976
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060542
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：
【要約】【課題】 レジストパタ-ン形成の際の、反射防止膜形成やレジスト膜形成の際に、塗布液の塗布量の低減化を図ること。【解決手段】 ウエハWの被処理面に親水液21を塗布し、この上に反射防止膜の薬液を塗布して、例えば1000Å程度の厚さの反射防止膜22を形成する。続いて反射防止膜22の表面に親水液21を塗布し、この上にレジスト液を供給して、例えば5000Å程度の厚さのレジスト膜23を形成する。このように親水液21の上に反射防止膜の薬液やレジスト液等の塗布液を塗布すると、親水液21の作用により、前記塗布液の表面張力が減少し、塗布液はウエハWの表面に沿ってウエハWの面にほぼ平行に伸展していく。このため塗布液の塗布必要量が低減し、薬液の省量化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
基板の被処理面にレジスト液を塗布し、次いで前記基板を所定のパタ-ンマスクを用いて露光し、続いて前記基板の被処理面に現像液を液盛りして基板を現像するレジストパタ-ンの形成方法において、前記基板の被処理面に親水液を含む液を塗布し、この基板の被処理面を親水性にする工程と、次いで前記基板上の親水液を含む液の上に塗布液を塗布する工程と、を含むことを特徴とするレジストパタ-ンの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/38 501
FI (2件)：
H01L 21/30 563 ,  G03F 7/38 501
Fターム (12件)：
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096CA03 ,  2H096CA14 ,  2H096GA08 ,  2H096GA29 ,  2H096GA60 ,  5F046JA02 ,  5F046JA09 ,  5F046JA16 ,  5F046LA08 ,  5F046PA01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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