特許
J-GLOBAL ID：200903044506720128

半導体装置およびその作製方法

発明者：
坂倉 真之

坂倉 真之 について

, 
大沼 英人

大沼 英人 について

, 
桑原 秀明

桑原 秀明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-283219
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142382
出願日： 2006年10月18日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】工程数を増やすことなく、段切れ不良、及びコンタクト不良を防ぐ方法を提供し、それにより動作性能および信頼性の高い集積回路を作製することを課題とする。【解決手段】配線の乗り越え部分において、回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを配線形成用のフォトリソグラフィ工程に適用し、2層構造の下層配線となる導電層を形成し、下層配線が下層配線1層目と、1層目の幅より短い2層目の幅を有するようにレジストパターンを形成し、急峻な段差を緩和することを目的とした下層配線を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に有する第1の配線と、 前記第1の配線上に有し、且つ、同一方向に延びている第2の配線と、 前記第2の配線上に、該第2の配線を覆うように有する絶縁膜と、 前記絶縁膜上に前記第1の配線及び前記第2の配線と交差する第3の配線とを有し、 前記第2の配線と前記第3の配線との交差部及び前記交差部近傍において、前記第1の配線の幅は、前記第2の配線の幅よりも広いことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 29/786 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (6件)：
H01L21/88 R ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 617K ,  H01L21/88 A ,  G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P
Fターム (164件)：
2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH10 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH16 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH22 ,  5F033HH32 ,  5F033HH35 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ20 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK08 ,  5F033KK10 ,  5F033KK17 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK22 ,  5F033KK32 ,  5F033MM05 ,  5F033MM19 ,  5F033MM21 ,  5F033MM29 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR07 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033RR27 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW00 ,  5F033XX02 ,  5F033XX33 ,  5F110AA14 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM03 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN13 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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