特許
J-GLOBAL ID：200903044535917410
トランジスタ及びその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-313263
公開番号（公開出願番号）：特開2009-218562
出願日： 2008年12月09日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：
【課題】トランジスタを提供する。【解決手段】チャンネル層、チャンネル層の両端にそれぞれ接触されたソース及びドレイン、チャンネル層と離隔されたゲート電極、チャンネル層とゲート電極との間に備わったゲート絶縁層、及びチャンネル層とゲート絶縁層との間に備わり、チャンネル層と仕事関数が異なる挿入層を備えるトランジスタである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャンネル層と、
前記チャンネル層の両端にそれぞれ接触されたソース及びドレインと、
前記チャンネル層と離隔されたゲート電極と、
前記チャンネル層と前記ゲート電極との間に備わったゲート絶縁層と、
前記チャンネル層と前記ゲート絶縁層との間に備わり、前記チャンネル層と仕事関数が異なる挿入層とを備えるトランジスタ。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L29/78 618E
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618G
5F110AA01
, 5F110AA05
, 5F110AA08
, 5F110AA14
, 5F110BB01
, 5F110BB03
, 5F110BB05
, 5F110CC01
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110GG01
, 5F110GG06
, 5F110GG19
, 5F110GG33
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110HK02
, 5F110HK21
, 5F110NN02
, 5F110NN23
, 5F110NN24
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示
前のページに戻る
