窒化物半導体電界効果トランジスタ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-247209
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010803
出願日： 2006年09月12日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】本発明が解決しようとする課題は、窒化物半導体電界効果トランジスタにおいて、しきい電圧の制御が可能なエンハンスメント形の動作を得ることである。【解決手段】結晶方位の+c方向にAlxGa1-xN層、GaN層、AlyGa1-yN層の順に積層されており、x≧yにすることにより空乏化しているダブルヘテロ構造からなるチャンネルをゲート部に有することを特徴とする窒化物半導体電界効果トランジスタによって解決される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

結晶方位の+c方向にAlxGa1-xN層、GaN層、AlyGa1-yN層の順に積層されており、x≧yにすることにより空乏化しているダブルヘテロ構造からなるチャンネルをゲート部に有することを特徴とする窒化物半導体電界効果トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (6件)：

H01L29/80 H , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L29/50 M , H01L29/78 301B , H01L29/78 618B

Fターム (85件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD35 , 4M104DD68 , 4M104DD83 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 5F102FA01 , 5F102FA03 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ03 , 5F102GR04 , 5F102GV08 , 5F102HC10 , 5F102HC16 , 5F102HC24 , 5F110AA08 , 5F110CC01 , 5F110DD04 , 5F110EE02 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF30 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK40 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ14 , 5F140AA06 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA20 , 5F140BB15 , 5F140BB16 , 5F140BB18 , 5F140BB19 , 5F140BC12 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BG30 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK29 , 5F140BK33 , 5F140CC08 , 5F140CC13 , 5F140CE02

引用特許：

審査官引用 (6件)

ヘテロ接合電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-142221 出願人：ソニー株式会社
電界効果トランジスタ、及び電界効果トランジスタの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-318658 出願人：国立大学法人名古屋大学
半導体積層構造、トランジスタ素子、およびトランジスタ素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-092615 出願人：日本碍子株式会社

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