半導体結晶の欠陥評価方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-125775
公開番号（公開出願番号）：特開2002-318178
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】観察対象とする内部欠陥を含む半導体結晶に対し、収束イオンビーム試料作製装置による電子顕微鏡観察用薄片試料の作製を高精度かつ短時間で行うことができ、該薄片試料を電子顕微鏡で観察することによって詳細に結晶欠陥の評価を行うことができる欠陥評価方法を提供する。【解決手段】半導体結晶の欠陥評価方法であって、半導体結晶中に存在する観察対象とする内部欠陥の位置および深さを特定し、前記内部欠陥の深さよりわずかに浅い領域まで半導体結晶を取り去ることによって前記内部欠陥を半導体結晶の表面近傍まで近づけ、その後該半導体結晶を収束イオンビーム試料作製装置により加工することによって電子顕微鏡観察用の薄片試料を作製し、該薄片試料を電子顕微鏡により評価することを特徴とする半導体結晶の欠陥評価方法。

請求項（抜粋）：

半導体結晶の欠陥評価方法であって、半導体結晶中に存在する観察対象とする内部欠陥の位置および深さを特定し、前記内部欠陥の深さよりわずかに浅い領域まで半導体結晶を取り去ることによって前記内部欠陥を半導体結晶の表面近傍まで近づけ、その後該半導体結晶を収束イオンビーム試料作製装置により加工することによって電子顕微鏡観察用の薄片試料を作製し、該薄片試料を電子顕微鏡により評価することを特徴とする半導体結晶の欠陥評価方法。

IPC (3件)：

G01N 1/28 , H01L 21/66 , B23K 15/00 508

FI (4件)：

H01L 21/66 N , B23K 15/00 508 , G01N 1/28 F , G01N 1/28 G

Fターム (16件)：

2G052AA13 , 2G052AD32 , 2G052EC18 , 2G052GA33 , 2G052HC33 , 2G052JA08 , 4E066BA13 , 4E066CA15 , 4M106AA01 , 4M106BA02 , 4M106BA03 , 4M106BA11 , 4M106CB19 , 4M106DH24 , 4M106DH57 , 4M106DH60

引用特許：

審査官引用 (8件)

TEM観察用試料の作成方法及び研磨用治具
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-134298 出願人：ソニー株式会社
電子顕微鏡観察用試料の作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-019447 出願人：シャープ株式会社
特開昭54-009572

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