特許
J-GLOBAL ID：200903023022294550
ハイブリッドコンダクターとマルチラジアスドーム天井を有する高周波プラズマリアクター
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189902
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083987
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 イオン密度分布の均一性を最適化するため、プラズマ特性の柔軟性のある多様な調節を可能ならしめるプラズマリアクターを提供すること。【解決手段】 本発明の誘導結合型RFプラズマリアクターは、側壁10と半導体天井12を有するリアクターチャンバーと、ウェーハ16を支持するウェーハペデスタル14と、RF電源28と、処理ガス源22と、RF電源に接続されたコイルインダクター18とを含み、前記コイルインダクターは、(a)前記側壁の一部に臨むとともに、底部巻線と、前記天井の頂上高さに少なくともほぼ対応する高さにある頂部巻線とを含むサイドセクション44と、(b)前記天井の実質的な部分の上方に横たわるように、前記サイドセクションのトップ巻線から半径方向内側へ延びるトップセクション46とを含む。天井は、半導体ウィンドウ電極として機能するように、もう一つのRF電源を天井に適用してもよい。
請求項（抜粋）：
基板を処理するためのプラズマリアクターであって、前記リアクター内で基板を支持するためのペデスタルと、前記ペデスタルに臨むとともに間隔を空けて重なるように支持された半導体材料製のほぼ円弧状のリアクター壁部分と、前記リアクターの内部にパワーを伝達することができる導体と、を備え、前記壁部分は前記ペデスタルの中央部近傍の直径部の大部分にわたって平坦形状に近づき、前記導体は、前記壁部分近傍の三次元面に倣うとともに、前記壁部分の中央部から半径方向に特定距離だけ離れた少なくとも一つの領域を有しており、前記領域は前記導体の他の部分より大きな程度で前記壁部分より離れている、プラズマリアクター。
IPC (8件)：
H01L 21/3065
, C23C 14/54
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, C23C 14/24
, H01L 21/203
, H05H 1/46
H01L 21/302 B
, C23C 14/54 B
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, C23C 14/24 T
, H01L 21/203 S
, H05H 1/46 B
