特許

J-GLOBAL ID：200903044566694363

固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法

発明者： 村松 真文 ,  岩元 勇人
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-051894
公開番号（公開出願番号）：特開2007-234725
出願日： 2006年02月28日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【課題】固体撮像素子が形成された半導体層と、固体撮像素子を制御するロジック回路が形成された半導体層の双方の内部応力を打ち消すことで、双方の半導体層を張り合わせてなる基板の歪みを緩和することを可能とする。【解決手段】固体撮像素子20が形成された第1半導体層11と、前記固体撮像素子を制御するロジック回路40が形成されたもので前記第1半導体層11と異なる結晶方位を有する第2半導体層31とを備え、前記第1半導体層11と前記第2半導体層31とが前記第1半導体層11と前記第2半導体層31との双方の内部応力を打ち消すように張り合わされている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

固体撮像素子が形成された第1半導体層と、 前記固体撮像素子を制御するロジック回路が形成されたもので前記第1半導体層と異なる結晶方位を有する第2半導体層とを備え、 前記第1半導体層と前記第2半導体層とが前記第1半導体層と前記第2半導体層との双方の内部応力を打ち消すように張り合わされている ことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (1件)：

H01L 27/14

FI (1件)：

H01L27/14 D

Fターム (21件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA04 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA09 ,  4M118CB01 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA18 ,  4M118FA06 ,  4M118FA42 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  4M118HA21 ,  4M118HA22 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 固体撮像素子とその製造方法、及び半導体集積回路装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-095873   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-154898   出願人：キヤノン株式会社
• センサーユニットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-223141   出願人：大日本印刷株式会社
• 貼り合わせ半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-078561   出願人：宇部興産株式会社
• SOI基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-252231   出願人：日本電気株式会社