特許

J-GLOBAL ID：200903044629085346

窒化物半導体自立基板及びその製造方法、並びにそれを用いた窒化物半導体発光素子

発明者： 鈴木 貴征
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-018884
公開番号（公開出願番号）：特開2005-213063
出願日： 2004年01月27日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：

【課題】 低駆動電圧で高い発光出力が得られる発光素子を得るための窒化物半導体自立基板を提供する。【解決手段】 {20-24}回折面及び{11-24}回折面の少なくとも一方のX線回折半値幅が500秒以下で、直径が10 mm以上の窒化物半導体自立基板は、(1) 下地基板上に10n個/cm2(0<n≦10)の転位密度を有する第一の窒化物半導体層を形成し、(2) 第一の窒化物半導体層上に窒化物半導体以外の材料からなるマスク層を形成し、(3) マスク層に10-n cm2以下の開口面積を有する膜厚方向に貫通する開口部を10n-2個/cm2以下の密度に開け、(4) マスク層上に厚さ50 μm以上の第二の窒化物半導体層を形成した後、(5) 下地基板乃至マスク層を除去することにより形成することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

{20-24}回折面及び{11-24}回折面の少なくとも一方のX線回折半値幅が500秒以下で、直径が10 mm以上であることを特徴とする窒化物半導体自立基板。

IPC (4件)：

C30B29/38 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28

FI (4件)：

C30B29/38 D ,  H01L21/02 B ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 301B

Fターム (33件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB08 ,  4G077BE15 ,  4G077CG01 ,  4G077DA01 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TC17 ,  4G077TK11 ,  4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104GG04 ,  5F045AA01 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• III族窒化物半導体の成長方法、III族窒化物半導体膜およびそれを用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-063688   出願人：日本電気株式会社
• GaN単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-035449   出願人：日立電線株式会社
• III族窒化物半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-064345   出願人：日本電気株式会社, 日立電線株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化