特許
J-GLOBAL ID：200903090046029490

GaN単結晶基板及びその製造方法

発明者：
鈴木 貴征

鈴木 貴征 について

, 
柴田 真佐知

柴田 真佐知 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-035449
公開番号（公開出願番号）：特開2002-241198
出願日： 2001年02月13日
公開日（公表日）： 2002年08月28日
要約：
【要約】【課題】ヒ素を含まない大型の自立したGaN単結晶基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】(111)面を表面とするSi、Ge又はGaPの基板1上に、ストライプ状、点状等の窓3を有するマスク2を形成し、その上にバッファ層4として一般式AlxGa1-xN(0≦x≦1)で記述される窒化ガリウム系化合物半導体を成長し、その上にGaN層5をエピタキシャル成長させ、基板1とマスク2を除去することにより、ヒ素を含まない自立した直径50mm以上の大きさのGaN単結晶基板を得る。
請求項（抜粋）：
直径50mm以上の大きさを有し、ヒ素を含まないことを特徴とする自立したGaN単結晶基板。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (29件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB09 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045GH09 ,  5F045HA14
引用特許：
審査官引用 (9件)
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