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J-GLOBAL ID：200902141539211808   整理番号：02A0551473

MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化

Hight-Quality AlN Eptaxial film and GaN growth on the AlN/Sapphire Templates by MOVPE.

著者 (9件)： 田中光浩 (日本碍子) ,  柴田智彦 (日本碍子) ,  坂井正宏 (日本碍子) ,  小田修 (日本碍子) ,  三宅秀人 (三重大) ,  平松和政 (三重大) ,  石川博康 (名古屋工大 極微構造デバイス研セ) ,  江川孝志 (名古屋工大 極微構造デバイス研セ) ,  神保孝志 (名古屋工大 極微構造デバイス研セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 102  号： 80(SDM2002 13-27)  ページ： 9-14  発行年： 2002年05月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： C面サファイア基板上に製膜した高品質なAlNエピタキシャル膜...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOVPE ,  高品質 ,  AlN ,  サファイア基板 ,  GaN ,  高品質化