特許
J-GLOBAL ID：200903044663870524

半導体装置

発明者：
武井 学

武井 学 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-277188
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086815
出願日： 2001年09月12日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 プレーナー型のフィールドプレート付きガードリング耐圧構造を有する半導体装置において、平面接合に近い理想耐圧を発生し、かつ高い信頼性を有すること。【解決手段】 プレーナー型のフィールドプレート付きガードリング耐圧の活性部とエッジとの境界近傍領域において、活性部内のフィールドプレート26のエッジ側端部28を活性部不純物拡散領域22からはみ出さず、かつエッジ内の、最も活性部寄りに位置するフィールドプレート27aの活性部側端部31をその下のガードリング不純物拡散領域23aからはみ出さないように構成し、それら隣り合う活性部不純物拡散領域22とガードリング不純物拡散領域23aとの間隔を詰めることによって等電位線の曲率半径を大きくし、耐圧のボトルネックを解消する。
請求項（抜粋）：
プレーナー型のフィールドプレート付きガードリング耐圧構造を有する半導体装置の活性部とエッジとの境界近傍領域において、前記活性部内の、前記エッジに最も近い第1のフィールドプレートのエッジ側端部が、前記活性部内の、前記エッジとの境界に設けられた活性部不純物拡散領域のエッジ側端部よりも活性部中央寄りに位置し、かつ前記エッジ内の、前記活性部に最も近い第2のフィールドプレートの活性部側端部が、前記エッジ内の、前記活性部に最も近いガードリング不純物拡散領域の活性部側端部よりもエッジ中央寄りに位置することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/861 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 655
FI (4件)：
H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/91 B
引用特許：
審査官引用 (16件)
  • 特開昭51-029879
  • 特開昭56-103463
  • 特開昭51-029879
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