特許
J-GLOBAL ID：200903044664789682
電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法及びそのシステム、並びに写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-353351
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157575
出願日： 2005年12月07日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】条件出しができるようにした写像投影型(MPJ型(SEPJ)型も含む))電子線検査装置並びにこれら電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法及びそのシステムを提供することにある。【解決手段】帯電電子ビームを照射する帯電装置と、近傍に電位分布が形成された検査領域に写像投影電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、前記試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出する検出手段と、該検出手段で検出したミラー画像信号を処理して欠陥を検出する欠陥検出手段とを備えた写像投影型欠陥検査装置であって、前記帯電電子ビームの照射条件を最適化する照射条件最適化手段を備えることを特徴とする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
条件出し用電子線検査装置を用いて、欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置における回路パターンが形成された欠陥検査用試料に対する少なくとも帯電電子ビームの照射条件であるプリチャージ条件を決める条件出し過程と、
欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置を用いて、前記条件出し過程において決められたプリチャージ条件で帯電用電子ビームを前記欠陥検査用試料上の検査領域に照射して該検査領域を帯電させて該検査領域近傍に電位分布を形成する帯電ステップと、該帯電ステップにより電位分布が形成された検査領域に写像投影又はマルチの電子ビームを照射することにより前記試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出器で検出してミラー画像信号に変換する検出ステップと、該検出ステップにおいて変換されたミラー画像信号を処理することにより欠陥を検出する欠陥検出ステップとを有する欠陥検査過程とを有するパターン欠陥検査方法であって、
前記条件出し過程は、帯電電子ビームを、回路パターンが形成された条件出し用試料上の条件出し用領域に照射して帯電させて条件出し用領域近傍に電位分布を形成する帯電ステップと、該帯電ステップで電位分布が形成された条件出し用領域に条件出し用電子ビームを照射することにより前記試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出器で検出してミラー画像信号に変換する検出ステップと、その後前記条件出し用領域を除電する除電ステップとを、前記帯電ステップにおける前記帯電電子ビームの照射条件を変えながら複数回繰り返し、前記検出ステップから逐次変換されたミラー画像信号に基づき最適性を評価して、前記欠陥検査過程における少なくとも前記プリチャージ条件を決めることを特徴とする電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA38
, 4M106DB05
, 4M106DJ11
, 4M106DJ20
, 4M106DJ39
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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