特許
J-GLOBAL ID：200903044718278247

プラズマ処理装置

発明者：
渡邉 祐樹

渡邉 祐樹 について

, 
原田 隆宏

原田 隆宏 について

, 
小駒 益弘

小駒 益弘 について


出願人/特許権者：
小駒 益弘

小駒 益弘 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-159910
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006511
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】放電空間内に均一かつ高安定なプラズマを発生させ、処理基材の均一な処理を行え、かつ簡素で安価な装置を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも反応容器内に電極と対向電極を備え、反応容器内に反応ガス及び/又は希釈ガスを供給するためのガス供給手段、反応ガス及び/又は希釈ガスを排出するためのガス排出手段を有し、該電極に電源から電圧を印加することにより電極と対向電極間にプラズマを発生させ、電極と対向電極間に位置する処理基材をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前記電極と対向電極間のプラズマ反応領域にガスの対流を作るガス対流手段を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置を提供するものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも反応容器内に電極と対向電極を備え、反応容器内に反応ガス及び/又は希釈ガスを供給するためのガス供給手段、反応ガス及び/又は希釈ガスを排出するためのガス排出手段を有し、該電極に電源から電圧を印加することにより電極と対向電極間にプラズマを発生させ、電極と対向電極間に位置する処理基材をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前記電極と対向電極間のプラズマ反応領域にガスの対流を作るガス対流手段を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L21/31 ,  C23C16/455
FI (2件)：
H01L21/31 C ,  C23C16/455
Fターム (30件)：
4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030BA46 ,  4K030CA07 ,  4K030DA03 ,  4K030EA05 ,  4K030EA08 ,  4K030EA11 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AF07 ,  5F045DP03 ,  5F045DP22 ,  5F045EB02 ,  5F045EE01 ,  5F045EG08 ,  5F045EG09 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13
引用特許：
審査官引用 (14件)
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