特許

J-GLOBAL ID：200903044741559687

半導体装置及びその製造方法

発明者： 久本 大 ,  安井 感 ,  木村 紳一郎 ,  石丸 哲也
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (2件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-221764
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041354
出願日： 2004年07月29日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】 メモリセルを縮小しても読み出し電流駆動力に優れた不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 スプリットゲート構造の不揮発性半導体記憶装置において、メモリゲートが凸型基板上に形成され、その側面をチャネルとして用いるようにする。【選択図】 図43A

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された、第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、 前記半導体基板上に形成され且つ前記第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの有する第1のゲート電極と絶縁膜を介して形成された第2のゲート電極を有する第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、を有し、 前記第1及び第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの各ゲート電極と交差する方向に、 第1の拡散層電極と、 前記第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの有する第1のゲート電極と当該第1のゲート電極に対応する第1のチャネル領域と、 前記第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの有する第2のゲート電極と当該第2のゲート電極に対応する第2のチャネル領域と、 前記第1の拡散層電極と、前記第1のチャネル領域と第2のチャネル領域を挟んで対向する第2の拡散層電極と、を有し、 前記第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜は、電荷保持機能を有し、 前記第2のゲート電極による電圧特性の変化の寄与によって、前記第1の拡散層電極と前記第2の拡散層電極との間を流れる電流を制御し、且つ 前記第1の拡散層電極と前記第2の拡散層電極を結ぶチャネル方向に交差する方向に凸型半導体領域を有し、 前記第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの有する第1のチャネル領域が、前記凸型半導体領域の側壁に形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (32件)：

5F083EP18 ,  5F083EP36 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083EP77 ,  5F083ER02 ,  5F083ER11 ,  5F083ER30 ,  5F083HA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA53 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05 ,  5F083PR12 ,  5F083PR36 ,  5F083PR37 ,  5F101BA45 ,  5F101BB02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD07 ,  5F101BD22 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD35 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH03 ,  5F101BH09 ,  5F101BH15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• US005969383
  

審査官引用 (5件)

• 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-352040   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 拡張された活性領域の有効幅を有する半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-331596   出願人：三星電子株式会社
• 半導体メモリ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-203563   出願人：株式会社デンソー
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-170411   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-072026   出願人：株式会社東芝